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王阳元教授

 

简 历
  男,1935年1月生,汉,中国共产党党员,浙江宁波人。1958年毕业于北京大学物理系;1958年至今在北京大学工作,1982年至1983年美国加州大学伯克利分校高级访问学者。1995年当选为中国科学院信息技术科学部院士。王阳元现为北京大学信息科学技术学院教授(1985年)、微电子学研究院首席科学家。
  王阳元主要从事微电子学领域中新器件、新工艺和新结构电路的研究。二十世纪70年代主持研究成功我国第一块3种类型1024位MOS动态随机存储器,是我国硅栅N沟道MOS技术开拓者之一。80年代提出了多晶硅薄膜“应力增强”氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,被国际同行认为“对许多研究者都有重要意义”,“对实践有重要的指导意义”。研究了硅化物薄膜及深亚微米CMOS电路的硅化物/多晶硅复合栅结构;发现磷掺杂对固相外延速率增强效应以及CoSi2栅对器件抗辐照特性的改进作用;90年代在SOI/CMOS器件方面,提出了器件浮体效应模型的工艺设计技术。研究成功了多种新型器件和电路;与合作者一起提出了多晶硅发射极晶体管的新的解析模型,开发了成套的先进工艺技术,对独立自主发展我国集成电路产业有重要意义。90年代后期研究微机电系统(MEMS),任国家重点实验室主任,主持开发了三套具有自主知识产权的MEMS工艺,开发了多种新型器件并向产业转化,获得一批发明专利。近期又致力于研究纳米级集成电路。在任全国ICCAD专家委员会主任和ICCAT专家委员会主任期间,领导研制成功了我国第一个大型集成化的ICCAD系统,使我国进入能自行开发大型ICCAD工具的先进国家行列。为推动我国微电子产业的发展,作为发起人之一,创建中芯国际集成电路制造有限公司,领导建设成功了我国第一条12英寸纳米级集成电路生产线,使我国集成电路大生产技术水平处于国际先进水平。共培养百名硕士、博士和博士后。发表科研论文230多篇,出版著作6部。
  王阳元有20项重大科技成果。1978年获全国科学大会奖,1991年获国家教委科技进步一等奖,2003年获何梁何利科技进步奖,2007年获国家科技进步二等奖,等19项国家级和部委级奖励。
  王阳元长期担任中国电子学会副理事长,《半导体学报》和《电子学报》(英文版)副主编。信息产业部科技委委员(电子),美国IEEE Fellow和英国IEE Fellow 等。